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| 多孔硅湿敏特性研究 | |
| 引用本文： | 刘刚,谢基凡.多孔硅湿敏特性研究[J].华中理工大学学报,1997,25(1):63-65. |
| 作者姓名： | 刘刚 谢基凡 |
| 作者单位： | 固体电子学系 |
| 摘 要： | 应用阳极氧化技术在单晶硅片上生长一层多孔硅（ＰＳ）薄膜，用真空镀膜方法分别在其上下两面蒸发一层适当厚度的金属铝作为电极，设计了两种电极图形，制成二端结构的敏感元件。在不同湿度环境下，测出其电容值，得到了多孔硅ＲＨ－Ｃ湿敏特性曲线。通过不同材料、不同工艺条件的试验研究发现：多孔硅湿敏元件的湿敏特性、响应时间与其孔隙率、膜厚等参数有关。从而，确定了适合于敏感应用的材料导电类型、电导率、工艺条件和元件结 |
| 关 键 词： | 多孔硅 阳极氧化 湿敏特性 薄膜 |
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