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| 高压反偏硅PN结的漏电流对研磨损伤层的影响 | |
| 作者姓名： | 张德贤 田敬民 |
| 作者单位： | 西安交通大学，陕西机械学院 |
| 摘 要： | 本文通过对硅整流管反偏直流产生电流温度关系、伏安特性和对应的深能级瞬态谱(DLTS)的研究,揭示了均为硬转折特性的试样漏电流有较大差异的根源是:表面研磨损伤层引入了新的深中心,使PN结的漏电流增加了一个隧道电流分量;并分析了导电机理.根据理论分析,修正了反偏PN结漏电流理论. |
| 关 键 词： | 硅 PN结 漏电流 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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