| 两步激光晶化法制备多晶硅薄膜晶体管 |
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| 引用本文： | 曾祥斌,徐重阳,戴永兵,王长安.两步激光晶化法制备多晶硅薄膜晶体管[J].华中科技大学学报(自然科学版),2000,28(3):93-95. |
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| 作者姓名： | 曾祥斌 徐重阳 戴永兵 王长安 |
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| 作者单位： | 华中理工大学电子科学与技术系 |
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| 摘 要： | 采用两步激光晶化方法制备了多晶硅薄膜 ,其晶粒尺寸达到 1 .1 μm.分析了在不同激光功率密度下 ,由两步激光晶化方法所制备的多晶硅薄膜的拉曼光谱 .测量了相应薄膜晶体管的转移特性和输入输出特性 ,由此得出薄膜晶体管的迁移率为 1 0 3 cm2 /( V·s) ,ION/IOF F为 1 0 6 ,分别是传统单步晶化制备的薄膜晶体管的2 .5倍和 1 1倍 .分析了两步晶化方法扩大晶粒尺寸的微观机理
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| 关 键 词： | 多晶硅薄膜 薄膜晶体管 激光晶化 拉曼光谱 |
| 修稿时间： | 1999-07-19 |
Poly-Si Thin Film Transistors Fabricated Using Novel Two-Step Laser Crystallization |
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| Zeng Xiangbin,Xu Chongyang,Dai Yongbin,Wang Chang'an.Poly-Si Thin Film Transistors Fabricated Using Novel Two-Step Laser Crystallization[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,2000,28(3):93-95. |
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| Authors: | Zeng Xiangbin Xu Chongyang Dai Yongbin Wang Chang'an |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | poly Si thin film thin film transistors laser crystallization Raman spectra |
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