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溶液法制备Zn1-xSnxO缓冲层的CZTSSe太阳电池性能优化
引用本文:林蓓蓓,孙全震,邓 辉,程树英.溶液法制备Zn1-xSnxO缓冲层的CZTSSe太阳电池性能优化[J].福州大学学报(自然科学版),2022,50(4):490-496.
作者姓名:林蓓蓓  孙全震  邓 辉  程树英
作者单位:福州大学物理与信息工程学院,福州大学物理与信息工程学院,福州大学物理与信息工程学院,福州大学物理与信息工程学院
基金项目:国家自然科学基金资助项目(No.62074037)和福建省科技厅对外合作项目(项目编号:2020I0006)
摘    要:为了获得环保型太阳电池,利用低成本且安全的溶液法制备Zn1-xSnxO(ZTO),替代CdS缓冲层以获得无镉柔性Cu2ZnSn(S, Se)4(CZTSSe)太阳电池.通过优化ZTO层厚度以调控电场和耗尽区,当ZTO层厚度为100 nm时,器件的内建电势可提升至0.35 V,耗尽区宽度增加至0.23μm,能更有效地收集载流子.优化后的器件具有更好的理想因子A(1.60)和更短的电荷转移寿命(26μs),这表明异质结质量得到提高且界面复合被有效抑制.最佳器件的光电转换效率(PCE)为3.0%,填充因子获得了22.7%的显著提升.

关 键 词:柔性CZTSSe薄膜太阳电池  1-xSnxO缓冲层"  Zn1-xSnxO缓冲层" target="_blank">name="keyword">Zn1-xSnxO缓冲层  溶液法  无镉缓冲层
收稿时间:2022/1/6 0:00:00
修稿时间:2022/2/28 0:00:00

Performance optimization of CZTSSe solar cells with Zn1-xSnxO buffer layer prepared by solution method
LIN Beibei,SUN Quanzhen,DENG Hui,CHENG Shuying.Performance optimization of CZTSSe solar cells with Zn1-xSnxO buffer layer prepared by solution method[J].Journal of Fuzhou University(Natural Science Edition),2022,50(4):490-496.
Authors:LIN Beibei  SUN Quanzhen  DENG Hui  CHENG Shuying
Institution:College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University,College of Physics and Information Engineering,Fuzhou University
Abstract:
Keywords:CZTSSe  flexible solar cell  Zn1-xSnxO (ZTO)  environmentally friendly buffer layer  solution method
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