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PECVD氮化硅薄膜的制备和研究
引用本文:李琼,陈永兴.PECVD氮化硅薄膜的制备和研究[J].上海师范大学学报(自然科学版),1980(4).
作者姓名:李琼  陈永兴
摘    要:我们设计制造了一套PECVD低温淀积氮化硅的小型设备。并将生成膜用于半导体器件的钝化。本文介绍了这套设备的原理和设计思想,研究了工艺参数对生成膜的影响,测定了生成膜的各种物理化学性能。我们认为这是一种值得在我国推广的钝化工艺。

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