线性电路硅单晶层电阻率最佳值与横向PNP管C—E击穿

本文经过理论分析和实验比较,提出了应当用C—E“击穿点”电压来表征横向PNP管C—E击穿特性,击穿电压设计值不能正确地反映C—E击穿电压的实际值;由这个观点引出另一个结论,即横向PNP管耐压的限制是C—E“击穿点”电压,而不是基区穿通电压。从这两个论点出发,本文提出了设计和生产线性集成电路选择硅单晶层(或外延层)电阻率最佳值的方法。