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| 磁场对锗表面场效应的影响 | |
| 引用本文： | 邢益荣,白洪耐,张立鹏,王智.磁场对锗表面场效应的影响[J].科学通报,1966,11(2):61-61. |
| 作者姓名： | 邢益荣 白洪耐 张立鹏 王智 |
| 作者单位： | 邢益荣 白洪耐 张立鹏 王智 |
| 摘 要： | 十多年来,Ge表面的电学性质已经进行了广泛的研究,常用的研究方法是表面场效应的测量。近几年来,也进行了不少关于Ge表面电磁性质的研究,例如,Petritz和Zemel等分别从理论和实验上研究了片状Ge的电导率、霍耳系数和磁阻随表面势垒的变化;分析了,当考虑载流子浓度变化时在近本征半导体中的热电磁效应,得出了在弱磁场中通电流的片状样品电阻率变化的表达式,式中包含两项,一项为磁阻效应;另一项为磁浓缩效应 |
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