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氮化镓基IMPATT二极管电学特性模拟研究
作者单位:
;1.潍坊广文中学
摘 要:
基于宽禁带半导体氮化镓材料,设计了传统的高-低结构的碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管,并对其直流特性和高频特性进行了模拟研究。模拟结果显示该IMPATT二极管工作频率达到300GHz,输出功率为1.94W,直流-射频转换效率达到17.2%,结果表明氮化镓材料在太赫兹器件制造领域应用潜力巨大。
关 键 词:
宽禁带半导体
氮化镓
IMPATT
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