我省已公布的专利简介(七)

发明名称:直拉(切氏法)硅单晶的氮保护气氛分类号:C30B27/102GK85100295 本发明为一种在直拉(切氏法)硅单晶技术中,以氮气作为拉晶的保护气体。所用的氮气纯度为99.999％以上,进入硅单晶炉内的氮气流量为2～50升/分,炉内氮气压力为0.5～60托。由于氮气来源丰富,价格低廉、可大幅度地降低硅单晶成本。