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CO在Pt/Si和Pd/Si上的化学吸附
引用本文:徐国定 戴宪起. CO在Pt/Si和Pd/Si上的化学吸附[J]. 河南师范大学学报(自然科学版), 1995, 23(2): 30-33
作者姓名:徐国定 戴宪起
作者单位:河南师范大学物理系
摘    要:本文根据单电子化学吸附理论,利用格林函数方法和复能积分技术,研究了CO在Pt/Si和Pd/Si上的化学吸附。用sp杂化轨道模型描述衬底,用紧束缚的d轨道模型描述金属。计算结果表明:(1)化学吸附能随Si上金属的层数增加而单调下降;(2)Δε〈0eV的杂质效应表现为使化学吸附减弱;Δε〉0eV的杂质效应表现为杂质位于表面第一层时加强了化学吸附,杂质位于其它层时减弱了化学吸附。

关 键 词:吸附能 表面现象 物理化学

Co Chemisorption On Pd/Si and Pt/Si
Xu Guoding,Dai Xianqi and Zhang Tao. Co Chemisorption On Pd/Si and Pt/Si[J]. Journal of Henan Normal University(Natural Science), 1995, 23(2): 30-33
Authors:Xu Guoding  Dai Xianqi  Zhang Tao
Abstract:
Keywords:Green's function  tightsi inding model  chemisorption energy
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