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BST薄膜的复阻抗谱及其电导性能的研究
引用本文:章天金,李东,徐超,黄卫华. BST薄膜的复阻抗谱及其电导性能的研究[J]. 湖北大学学报(自然科学版), 2002, 24(1): 38-42
作者姓名:章天金  李东  徐超  黄卫华
作者单位:湖北大学物理学与电子技术学院,湖北武汉430062
基金项目:湖北省教育厅重大项目基金资助 ( 2 0 0 1Z0 10 0 7)
摘    要:应用Sol-Gel工艺制备了BST薄膜,应用复阻抗谱和模量普技术研究了BST薄膜的介电响应,实验结果表明:BST薄膜的阻抗谱曲线是一个完整的半圆,且阻抗普半圆存在压低现象,而与此对应,复阻抗和复模量的频谱曲线只存在一个峰值,表明BST薄膜的介电响应主要起源于样品的晶粒体行为,而晶粒边界以及电极与薄膜界面的贡献可以忽略,交直流电导分析结果表明,BST薄膜的交直流电导激活能分别为93.5kJ/mol和100.3kJ/mol,BST薄膜存在这一激活能数值的主要原因是薄膜中氧空位的迁移引起的。

关 键 词:BST薄膜 复阻抗谱 电导性能 介电响应 激活能 钛酸锶钡薄膜 模量谱 氧空位迁移
文章编号:1000-2375(2002)01-0038-05
修稿时间:2001-10-31

Impedance spectroscopy of BST thin films and their electrical conductitity
Zhang Tianjin,Li Dong,Xu Chao,Huang Weihua. Impedance spectroscopy of BST thin films and their electrical conductitity[J]. Journal of Hubei University(Natural Science Edition), 2002, 24(1): 38-42
Authors:Zhang Tianjin  Li Dong  Xu Chao  Huang Weihua
Abstract:
Keywords:BST thin films  impedance spectroscopy  dielectric response  activation energy
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