| HgI2探测器中晶体表面处理的研究 |
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| 引用本文： | 李莹,史伟民,潘美军,郭燕明.HgI2探测器中晶体表面处理的研究[J].上海大学学报(自然科学版),2003,9(2):167-171. |
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| 作者姓名： | 李莹 史伟民 潘美军 郭燕明 |
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| 作者单位： | 上海大学,材料科学与工程学院,上海,201800 |
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| 摘 要： | 该文研究了HgI2晶体表面状况对晶体电学性质的影响,主要探讨在不同的腐蚀条件下KI溶液腐蚀HgI2晶体时,得到不同的表面状况,从而对HgI2晶体电学性质产生的影响.扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)及微电流计分析表明,通过化学腐蚀,在0℃时,用浓度为10%～20%KI溶液,腐蚀时间2min左右,可以得到较好的晶体表面状况.上述工艺条件,能够很大程度上优化HgI2晶体的电学参数,从而提高HgI2核探测器的性能.
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| 关 键 词： | 核探测器 HgI2晶体 表面处理 漏电流 |
| 文章编号： | 1007-2861(2003)02-0167-05 |
| 修稿时间： | 2002年9月19日 |
Investigation of Surface Treating Methods of HgI2 Crystals in a Nuclear Detector |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nuclear detector HgI_2 crystal surface treatment drain current |
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