|
|||||
|
|
| Ⅱ～Ⅵ族半导体团簇的第一性原理研究 | |
| 引用本文： | 李春霞.Ⅱ～Ⅵ族半导体团簇的第一性原理研究[J].科技资讯,2007(16):1-2. |
| 作者姓名： | 李春霞 |
| 作者单位： | 长江师范学院物理学及电子信息工程系,重庆,408003 |
| 摘 要： | 本文介绍了Ⅱ～Ⅵ族半导体团簇或量子点CdSe、CdS、HgTe、CdTe目前国内外理论方面的研究进展,主要阐述了应用第一性原理方法对这几种团簇研究情况,如在原子数小于22时基态结构的特点及结合能和能隙对尺寸的变化关系等。并指出CdSe、CdS、HgTe、CdTe等团簇潜在的应用价值。 |
| 关 键 词： | Ⅱ～Ⅵ族半导体团簇 基态结构 结合能 能隙 |
| 文章编号： | 1672-3791(2007)06(a)-0001-02 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |