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| 电子辐照NTD FZ Si等温退火特性 | |
| 作者姓名： | 董友梅 戴培英 |
| 作者单位： | [1]郑州大学图书馆 [2]郑州大学物理工程学院 |
| 摘 要： | 本文报导了关于高阻Ｎ型区熔ＮＴＤ－Ｓｉ－Ｐ＾＋Ｎ结二极管经电子辐照后的等温退火特性，获得５个缺陷能级：Ｅ１＝０．１６ｅＶ，Ｅ２＝０。．２７ｅＶ，Ｅ３＝０．３１ｅＶ，Ｅ４＝０．３７ｅＶ６和Ｅ５＝０．４２ｅＶ，结果表明Ｅ３和Ｒ４有比其它３个能极更好的热稳定性。 |
| 关 键 词： | NTD 硅 电子辐照 等温退火 缺陷态 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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