| 反应蒸发制备的TiN薄膜特性研究 |
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| 引用本文： | 高玉芝,张录,张利春.反应蒸发制备的TiN薄膜特性研究[J].北京大学学报(自然科学版),1989(3). |
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| 作者姓名： | 高玉芝 张录 张利春 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所
(高玉芝，张录)，北京大学微电子学研究所(张利春) |
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| 摘 要： | 本文利用反应蒸发方法在NH_3气氛中淀积了TiN薄膜。俄歇电子谱(AES)、X射线衍射技术和电特性测量等方法分别用来分析了在不同NH_3气压和不同衬底温度条件下所淀积的TiN薄膜的组分、晶体结构和电特性。Al/TiN/Si金属化系统经550℃、30分钟退火,卢瑟福背散射研究结果表明,TiN是一种有效的扩散势垒材料。
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| 关 键 词： | 反应蒸发 扩散势垒 氮化钛 |
Characteristics of TiN Film Formed by Reactive Evaporation |
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| Goo Yuzhi Zhang Lu Zhang Lichun.Characteristics of TiN Film Formed by Reactive Evaporation[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis,1989(3). |
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| Authors: | Goo Yuzhi Zhang Lu Zhang Lichun |
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| Institution: | Institute of Microelectronics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | reactive evaporation diffusion barrier TiN |
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