| 沟槽深度对UMOS功率器件电学性能的影响 |
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| 引用本文： | 张金英,华光平,纪新明,周嘉,黄宜平.沟槽深度对UMOS功率器件电学性能的影响[J].复旦学报(自然科学版),2009(4). |
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| 作者姓名： | 张金英 华光平 纪新明 周嘉 黄宜平 |
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| 作者单位： | 复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室微电子研究院;上海先进半导体制造股份有限公司; |
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| 摘 要： | 采用0.35μm工艺设计制造了新型UMOS功率器件,芯片集成了数千个UMOS沟槽并使之并联,以获得高的击穿电压和大的工作电流.研究发现,沟槽深度对器件的工艺参数及其导通电阻、漏电流、阈值电压、击穿电压等电学性能都有影响,且最终影响量产中的良率.实验表明,在相同的工艺条件下,沟槽深度为1.65μm(试验范围为1.60~1.95μm)时,Φ200 mm晶片的良率可达98%以上,器件导通电阻约8.2 mΩ,源漏击穿电压稳定在34 V以上,正常工作电流可达5 A,开启电压和漏电流也稳定在要求范围内.
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| 关 键 词： | 高功率 U形多晶硅栅金属氧化物半导体 沟槽深度 击穿电压 良率 |
Influence of Trench Depth of UMOS Power Device on Electrical Performance |
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| ZHANG Jin-ying,HUA Guang-ping,JI Xin-ming,Zhou Jia,HUANG Yi-ping.Influence of Trench Depth of UMOS Power Device on Electrical Performance[J].Journal of Fudan University(Natural Science),2009(4). |
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| Authors: | ZHANG Jin-ying HUA Guang-ping JI Xin-ming Zhou Jia HUANG Yi-ping |
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| Institution: | 1.ASIC & System State Key Laboratory;School of Microelectronics;Fudan University;Shanghai 200433;China;2.Advanced Semiconductor Manufacturing Corporation of Shanghai Limited;Shanghai 200233;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high-power UMOS trench depth breakdown voltage yield |
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