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阴极溶出伏安法测定痕量硒(Ⅳ)
引用本文:臧树良,王歆睿,铁梅,孙铁彪,田冬梅,邓桂春.阴极溶出伏安法测定痕量硒(Ⅳ)[J].辽宁大学学报(自然科学版),2005,32(4):289-292.
作者姓名:臧树良  王歆睿  铁梅  孙铁彪  田冬梅  邓桂春
作者单位:辽宁大学,化学与工程学院,沈阳,110036;辽宁大学,化学与工程学院,沈阳,110036;辽宁省分析测试中心,辽宁,沈阳,110016;辽宁大学,化学与工程学院,沈阳,110036;华东师范大学,化学系,上海,200062
摘    要:采用银基汞膜电极为工作电极,研究了硒(Ⅳ)在0.10moL/L HClO4与1mg/L Cu(Ⅱ)离子的电解液中,以硫氰酸根离子为增敏剂的阴极溶出行为,硒浓度在5~30μg/L范围内与其峰电流呈良好的线性关系,并研究了铁(Ⅲ)、铅(Ⅱ)、锌(Ⅱ)、镉(Ⅱ)、硫(Ⅱ)碲(Ⅳ)等离子对测定硒的干扰问题.

关 键 词:阴极溶出伏安法  硒(Ⅳ)  汞膜电极
文章编号:1000-5846(2005)04-0289-04
收稿时间:2004-12-07
修稿时间:2004-12-07
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