阴极溶出伏安法测定痕量硒(Ⅳ) |
| |
引用本文: | 臧树良,王歆睿,铁梅,孙铁彪,田冬梅,邓桂春.阴极溶出伏安法测定痕量硒(Ⅳ)[J].辽宁大学学报(自然科学版),2005,32(4):289-292. |
| |
作者姓名: | 臧树良 王歆睿 铁梅 孙铁彪 田冬梅 邓桂春 |
| |
作者单位: | 辽宁大学,化学与工程学院,沈阳,110036;辽宁大学,化学与工程学院,沈阳,110036;辽宁省分析测试中心,辽宁,沈阳,110016;辽宁大学,化学与工程学院,沈阳,110036;华东师范大学,化学系,上海,200062 |
| |
摘 要: | 采用银基汞膜电极为工作电极,研究了硒(Ⅳ)在0.10moL/L HClO4与1mg/L Cu(Ⅱ)离子的电解液中,以硫氰酸根离子为增敏剂的阴极溶出行为,硒浓度在5~30μg/L范围内与其峰电流呈良好的线性关系,并研究了铁(Ⅲ)、铅(Ⅱ)、锌(Ⅱ)、镉(Ⅱ)、硫(Ⅱ)碲(Ⅳ)等离子对测定硒的干扰问题.
|
关 键 词: | 阴极溶出伏安法 硒(Ⅳ) 汞膜电极 |
文章编号: | 1000-5846(2005)04-0289-04 |
收稿时间: | 2004-12-07 |
修稿时间: | 2004-12-07 |
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录! |
|