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| 质子轰击室温连续工作GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光二极管的研制 | |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所半导体激光组，中国科学院高能物理研究所一室应用组 |
| 摘 要： | 利用GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结构,加上条形结构可以获得在室温下连续工作的半导体激光二极管。我们利用通常的液相外延方法生长出GaAs-Ga_(1-x)-Al_XAs双异质结构材料。并用质子轰击法来形成条形结构。这样用银散热片做成的器件能在300°K下长时期地连续工作。 |
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