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| La2Cu1-xZnxO4+δ低频内耗研究 | |
| 引用本文： | 陈志军,吴修胜,杨春利,高海英,刘卫.La2Cu1-xZnxO4+δ低频内耗研究[J].中国科学技术大学学报,2009,39(7). |
| 作者姓名： | 陈志军 吴修胜 杨春利 高海英 刘卫 |
| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学材料科学与工程系,安徽合肥,230026 2. 安徽建筑工业学院材料与化学工程学院,安徽合肥,230022 |
| 摘 要： | 对La2Cu1-xZnxO4+δ(0≤x≤0.2)系列样品的低频内耗和模量进行了研究.发现0≤x≤0.005时样品在低温存在两个弛豫内耗峰,分别是由样品中两种状态的额外氧跳跃弛豫引起的;当0.05≤x≤0.2时样品只存在一个内耗峰,该内耗峰可归于由共价氧对的额外氧跳跃引起,其峰位随掺杂量的增加向高温移动.不同掺杂量样品的模量曲线揭示高温处的模量反常对应着体系的正交-四方结构转变;此相变发生的温度随掺杂量的增加向高温移动. |
| 关 键 词： | La2Cu1-xZnxO4+δ 额外氧 内耗峰 相变 |
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