用模板法制备取向Si纳米线阵列 |
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作者姓名: | 李梦轲 王成伟 力虎林 |
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作者单位: | 兰州大学化学系 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(批准号:69890220,69871013) |
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摘 要: | 用化学气相沉积(CVD)技术,在阳极氧化铝模板的有序微孔内,制备了高度取向的多晶Si纳米线阵列。用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)分别观察了模板及Si纳米线阵列的表面,断面形貌及单根Si纳米线的显微结构,用X射线衍射仪(XRD)分析了Si纳米线阵列的晶体结构。此方法制备出的Si纳米线阵列生长方向高度有序,直径和长度易于控制、较少发生周期性不稳定生长而产生的弯曲和缠绕现象,相对其他方法具有工艺简单、成本低、可控性强、易实现大面积生长等优点。
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关 键 词: | 硅纳米线阵列 化学气相沉积 阳极氧化铝模板 模板法 制备工艺 生长方向 |
收稿时间: | 2000-12-21 |
修稿时间: | 2000-12-21 |
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