首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

多晶硅薄膜制备技术的研究进展
引用本文:马蕾,简红彬,康建波,彭英才.多晶硅薄膜制备技术的研究进展[J].河北大学学报(自然科学版),2005,25(1):97-103.
作者姓名:马蕾  简红彬  康建波  彭英才
作者单位:河北大学,电子信息工程学院,河北,保定,071002
基金项目:河北省自然科学基金资助项目(503125)
摘    要:多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料,它兼具单晶硅和氢化非晶硅(a-Si:H)的优点.本文评论了近几年多晶硅薄膜制备技术的研究进展,着重讨论了每种方法薄膜的淀积机理,并预测了多晶硅薄膜制备技术的未来发展趋势.

关 键 词:多晶硅薄摸  低压化学气相淀积  热丝化学气相淀积  固相晶化  激光诱导晶化  金属诱导晶化  
文章编号:1000-1565(2005)01-0097-07
修稿时间:2004年6月10日

Progress on the Fabricated Technique of Poly-Si Films
MA Lei,JIAN Hong-bin,KANG Jian-bo,PENG Ying-cai.Progress on the Fabricated Technique of Poly-Si Films[J].Journal of Hebei University (Natural Science Edition),2005,25(1):97-103.
Authors:MA Lei  JIAN Hong-bin  KANG Jian-bo  PENG Ying-cai
Abstract:In recently, poly_Si films, including the characteristic of c_Si and a_Si:H, are widely used in energy sources and informational science field. This paper reviews the development of the fabricated technique of the poly_Si films, and discusses the deposited mechanism of every method. Finally, we predicate the developed tendency of the fabricated technique of poly_Si films.
Keywords:poly_Si films  LPCVD  HWCVD  SPC  LIC  MIC
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《河北大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息
点击此处可从《河北大学学报(自然科学版)》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号