锗的阳极氧化 |
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引用本文: | 彭少麒,姚杰,许志良.锗的阳极氧化[J].中山大学学报(自然科学版),1965(3). |
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作者姓名: | 彭少麒 姚杰 许志良 |
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作者单位: | 中山大学物理系,中山大学物理系,中山大学物理系 |
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摘 要: | 本文描述了对n一型锗进行阳极氧化的实验方法,得到了均匀的各种不同厚度的G_eO_2薄膜,采用了二种电解液:(1)醋酐65c.c.加上无水醋酸钠在醋酐中的饱和溶液5c、c;(2)醋酐500c、c加上21mgLiNO_3,实验证明采用后者得到较好的薄膜。膜的厚度测量是用光的干涉法得出。文章还叙述了阳极电位与时间的关系,氧化层厚度与时间的关系等规律,指出用这种方法可进行Ge扩散层中杂质浓度分布的研究,用适宜的条件,可以生长非常均匀的厚度达1000A以上的薄膜。
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