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| Sb吸附在GaAs（110）（1×1）—Sb（1ML）表面上的电子态特性 | |
| 引用本文： | 贾瑜,马丙现.Sb吸附在GaAs（110）（1×1）—Sb（1ML）表面上的电子态特性[J].郑州大学学报(自然科学版),1999,31(1):38-43. |
| 作者姓名： | 贾瑜 马丙现 |
| 摘 要： | 采用紧束缚的ｓｐ＾３ｓ模型本电子态，用散射理论的格林函数方法研究了Ｓｂ吸附在ＧａＳＡｓ（１１０）表面上的电子特性，计算结果表明：在－１２ｅＶ－＋２ｅＶ的能区内有９个表面态存在，对于这样的金属／半导体系统仍有带隙存在，其带隙宽度为０．４ｅＶ左右；体系的性质表现为半导体的性质，而不表现出金属的性质。 |
| 关 键 词： | 吸附 表面态密度 电子套 锑 砷化镓 半导体 |
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