| RF磁控溅射沉积压强对InGaZnO4薄膜特性的影响 |
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| 引用本文： | 闫小兵,史守山,娄建忠,郑树凯,曹智.RF磁控溅射沉积压强对InGaZnO4薄膜特性的影响[J].河北大学学报(自然科学版),2015,35(3):243-246,252. |
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| 作者姓名： | 闫小兵 史守山 娄建忠 郑树凯 曹智 |
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| 作者单位： | 河北大学电子信息工程学院,河北省数字医疗工程重点实验室,河北保定071002 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，河北省自然科学基金资助项目，河北省高等学校科学研究项目，河北大学人才引进基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用射频(RF)磁控溅射沉积方法,在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体InGaZnO4(IGZO)薄膜,并对薄膜进行X线衍射(XRD)、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.结果表明,实验所获样品IGZO薄膜为非晶态,薄膜最小电阻率为1.3×10-3Ω·cm,根据光学性能测试结果,IGZO薄膜在200～350 nm的紫外光区有较强吸收,在400～900 nm的可见光波段的透过率为75％～97％.
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| 关 键 词： | IGZO 沉积压强 光学性质 电学性质 |
Influence of deposition pressure on optical and electrical properties of IGZO films fabricated by radio frequency magnetron sputtering |
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| YAN Xiaobing
,
SHI Shoushan
,
LOU Jianzhong
,
ZHENG Shukai
,
CAO Zhi.Influence of deposition pressure on optical and electrical properties of IGZO films fabricated by radio frequency magnetron sputtering[J].Journal of Hebei University (Natural Science Edition),2015,35(3):243-246,252. |
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| Authors: | YAN Xiaobing SHI Shoushan LOU Jianzhong ZHENG Shukai CAO Zhi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | IGZO deposition pressure optical properties electrical properties |
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