| 铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性 |
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| 引用本文： | 郑大宇,孙元平,王莉莉,张书明,杨辉. 铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性[J]. 烟台大学学报(自然科学与工程版), 2008, 21(3) |
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| 作者姓名： | 郑大宇 孙元平 王莉莉 张书明 杨辉 |
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| 作者单位： | 1. 烟台大学,光电信息科学技术学院,山东,烟台,264005
2. 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 山东省优秀中青年科学家研究奖励基金 |
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| 摘 要： | 利用光致发光谱研究了不同组分铟镓氮材料的光学特性.发现随着温度升高,2个样品的主峰表现出一种行为:半高宽度(FWHM)增加时,主峰位置红移;半高宽度减少时,主峰位置蓝移.对所得数据进行Arrhenius拟合,比较激活能得出结论:样品B中的非辐射复合中心比样品A中的易被激活;样品B中的载流子逃逸效应比样品A中更为明显.从而解释了2个样品发光效率不同的原因,为样品的改良提供了理论依据.
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| 关 键 词： | 铟镓氮(InGaN) 光致发光 半高宽度 激活能 组分 InGaN 材料 发光特性 Content Indium Different Materials Study 理论 改良 发光效率 解释 效应 逃逸 载流子 激活能 非辐射复合中心 比较 拟合 |
Optical Study of InGaN Materials with Different Indium Content |
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| ZHENG Da-yu,SUN Yuan-ping,WANG Li-li,ZHANG Shu-ming,YANG Hui. Optical Study of InGaN Materials with Different Indium Content[J]. Journal of Yantai University(Natural Science and Engineering edirion), 2008, 21(3) |
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| Authors: | ZHENG Da-yu SUN Yuan-ping WANG Li-li ZHANG Shu-ming YANG Hui |
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