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| 用对向靶溅射法制备巨磁阻超晶格薄膜 | |
| 引用本文： | 曾宪庭.用对向靶溅射法制备巨磁阻超晶格薄膜[J].科学通报,1995,40(14):1257-1257. |
| 作者姓名： | 曾宪庭 |
| 作者单位： | 香港中文大学物理系 (曾宪庭)，香港中文大学物理系(黄康权) |
| 摘 要： | 巨磁阻(GMR)超晶格薄膜(如Co/Cu,Ni/Ag以及Fe/Cr等系统)的研究已取得许多重要成果,其中Co/Cu多层薄膜受到特别重视,因其具有较高的室温巨磁阻效应,而且重复性好和容易制备,极有希望首先得到应用,已报道的制备方法包括分子束外延、超高真空蒸发以及磁控溅射,其中,磁控溅射法所得到的GMR较大,采用较为普遍,普通磁控溅射中铁磁靶材引起的磁屏蔽导致溅射率低,而且靶面溅蚀不均匀以及存在对薄膜的二次溅射等问题.本文用 |
| 关 键 词： | 巨磁阻 超晶格 钴 铜 薄膜 对向靶溅射法 |
| 收稿时间： | 1994-05-25 |
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