不同表面状态下的扫描电子显微镜能谱分析方法 |
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作者姓名: | 胡笑钏 黄逸清 陈彦璋 吕毅 |
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作者单位: | 1. 长安大学能源与电气工程学院;2. 西安交通大学医学部 |
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基金项目: | 中国博士后科学基金资助项目(2021M702629);;国家自然科学基金资助项目(81727802); |
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摘 要: | 针对样品表面吸附和污染导致扫描电子显微镜能谱仪成像质量和检测精度下降的问题,提出了一种扫描电镜能谱分析方法——吸附表面二次电子发射数值计算模型。首先,采用Polanyi位势理论在Cu表面构造了N2多层吸附模型;其次,考虑吸附对功函数及电子散射过程的影响,采用Monte Carlo方法追踪电子在材料和吸附层内的散射轨迹,建立了电子与N2分子散射模型;最后,将N2多层吸附模型与电子与N2分子散射模型合并,建立了吸附表面二次电子发射的精确模拟模型,用于计算N2吸附分子对能谱的影响规律。数值计算结果表明,当N2分子吸附量增大至3×1016 cm-2时,二次电子能谱的最可几能量和半峰宽分别增大了3.16、4.76倍,二次电子比例减少至原来的215。采用所提模型对探测器进行优化设计,能够提高二次电子信号收集效率、降低噪声信号、提高分辨率。相比以往模型,所提模型突破了仅适用于分子吸附量小于3×1015 c...
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关 键 词: | 扫描电子显微镜 能谱 二次电子发射 N2气体 Monte Carlo模拟 |
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