| Si中30°部分位错弯结-重构缺陷运动特性的分子模拟 |
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| 引用本文： | 孟庆元,王庆盛.Si中30°部分位错弯结-重构缺陷运动特性的分子模拟[J].西安交通大学学报,2009,43(5). |
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| 作者姓名： | 孟庆元 王庆盛 |
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| 作者单位： | 1. 哈尔滨工业大学航天科学与力学系,150001,哈尔滨
2. 哈尔滨工业大学航天科学与力学系,150001,哈尔滨;北京强度环境研究所,100076,北京 |
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| 摘 要： | 通过基于EDIP(Environment-Dependent Interatomic Potential)势函数的分子动力学模拟,得到了左弯结-重构缺陷(LC)和右弯结-重构缺陷(RC)在1个周期内通过稳定状态之间的相互转化来实现运动的具体过程,同时给出了LC和RC在不同温度和剪应力作用下的运动速度曲线.通过NEB(Nudged Elastic Band)方法结合紧束缚势函数,计算出了LC和RC在1个周期内的迁移势垒,验证了分子动力学结果的正确性.计算结果表明,含有重构缺陷(RD)的LC和RC相对于左弯结和右弯结具有较快的运动速度,验证了之前得出的RD对30°部分位错的运动具有加速作用的结论,并且通过对弯结运动过程中微观结构的分析,从微观尺度上对这一结论进行了解释.
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| 关 键 词： | 部分位错 分子动力学 弯结-重构缺陷 迁移势垒 |
Molecular Simulation for Migration Characteristics of Kink-Reconstruction Defect Complex on 30°Partial Dislocation in Silicon |
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| MENG Qingyuan,WANG Qingsheng.Molecular Simulation for Migration Characteristics of Kink-Reconstruction Defect Complex on 30°Partial Dislocation in Silicon[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,2009,43(5). |
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| Authors: | MENG Qingyuan WANG Qingsheng |
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