| CCD图像传感器抗晕结构研究与仿真 |
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| 引用本文： | 武利翻.CCD图像传感器抗晕结构研究与仿真[J].科学技术与工程,2010,10(27). |
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| 作者姓名： | 武利翻 |
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| 作者单位： | 西安邮电学院,西安,710121 |
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| 摘 要： | 分析和讨论了CCD抗晕结构,并建立了CCD纵向抗晕结构模型.运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并详细分析和讨论了衬底反偏电压.1 PW层硼掺杂浓度、N型沟道磷掺杂浓度和TG转移栅下P杂质掺杂浓度参数对CCD纵向抗晕能力的影响,并得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构.
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| 关 键 词： | 光晕 纵向抗晕 器件仿真 |
| 收稿时间： | 2010/6/28 0:00:00 |
| 修稿时间： | 7/7/2010 10:47:48 PM |
Research and Simulation of A CCD Image Sensor With a Vertical Anti-blooming Strctrue |
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| wulifan.Research and Simulation of A CCD Image Sensor With a Vertical Anti-blooming Strctrue[J].Science Technology and Engineering,2010,10(27). |
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| Authors: | wulifan |
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| Abstract: | MEDICI is a powerful device simulation program that can be used to simulate the behavior of MOS and semiconductor devices. A simulation grid is created by MEDICI. The substrate voltage, the 1PW impurity concentration, N buried-channel impurity concentration and P impurity concentration of TG(transfer Gate) is analyzed. Finally, An optimum strcture is obtained. |
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| Keywords: | CCD |
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