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| 单层二硫化钼光学性质的第一性原理计算 | |
| 作者姓名： | 杨志鹏 吴顺情 文玉华 朱梓忠 |
| 作者单位： | 厦门大学物理与机电工程学院; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(10774124,10702056) |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了单层和体材料二硫化钼(MoS2)的电子能带结构及光学性质.在能带结构计算的基础上,计算了单层和体材料MoS2的介电函数虚部及实部,并导出了单层MoS2的能量损失谱、吸收系数、反射率、折射率和消光系数等.同时给出了体材料及单层MoS2介电函数图像中各峰值与对应的能带带间跃迁之间的关系.所得结果与实验结果及现有的理论结果相符合. |
| 关 键 词： | 二硫化钼 单层 光学性质 第一性原理计算 |
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