| 沉积工艺参数对AlN薄膜择优取向影响的实验研究 |
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| 引用本文： | 卢勤,李化鹏,陈希明.沉积工艺参数对AlN薄膜择优取向影响的实验研究[J].天津理工大学学报,2009,25(5):12-14. |
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| 作者姓名： | 卢勤 李化鹏 陈希明 |
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| 作者单位： | 1. 天津电子信息职业技术学院,软件学院,天津300132
2. 天津理工大学电子信息工程学院,天津,300384 |
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| 基金项目： | 天津市自然科学基金重点项目 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法，以高纯Al（99．999％）为靶材，高纯N2为反应气体，在硅及金刚石上制备了氮化铝（AIN）薄膜．研究了氩气氮气比例、溅射气压等工艺参数对A1N膜沉积的影响规律．结果表明，随着氮气比例的增大A1N（002）取向明显增强．溅射气压低有利于以AIN（002）面择优取向．
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| 关 键 词： | 磁控溅射 择优取向 氮化铝薄膜 金刚石 |
Effect of technical parameters on AlN thin films deposited |
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| LU Qin,LI Hua-peng,CHEN Xi-ming.Effect of technical parameters on AlN thin films deposited[J].Journal of Tianjin University of Technology,2009,25(5):12-14. |
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| Authors: | LU Qin LI Hua-peng CHEN Xi-ming |
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