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| H3Si^＋配合1,3—双亲负离子的理论研究 | |
| 引用本文： | 步宇翔.H3Si^＋配合1,3—双亲负离子的理论研究[J].曲阜师范大学学报,1990,16(3):66-69. |
| 作者姓名： | 步宇翔 |
| 摘 要： | 利用INDO法及能量梯度方案,对H_3Si~+与1,3—双亲负离子形成的配合物进行了计算,讨论了配合物的构型、配位反应标度、结构之稳定性及成键特征,给出了配位反应的规律性,得出了一些结论。 |
| 关 键 词： | 硅化物 络合物 双亲负离子 配位能 |
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