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| 微量元素、织构和位错对低压(16V)电容器用阳极箔比电容的影响 | |
| 引用本文： | 张纬斌,韩德伟,王云辉,于锋,罗继民,谭雪成.微量元素、织构和位错对低压(16V)电容器用阳极箔比电容的影响[J].中南大学学报(自然科学版),1982(1). |
| 作者姓名： | 张纬斌 韩德伟 王云辉 于锋 罗继民 谭雪成 |
| 作者单位： | 中南矿冶学院材料科学与工程系，中南矿冶学院材料科学与工程系，中南矿冶学院材料科学与工程系，中南矿冶学院材料科学与工程系，中南矿冶学院材料科学与工程系，中南矿冶学院材料科学与工程系 |
| 摘 要： | 本文研究了含微量 Mg—Nd、Cd 的低压(16V)电容器阳极铝箔比电容。实验表明:成份位于一定范围的退火 Al-Mg-Nd 和 Al-Cd 合金箔,与纯铝箔相比,有较高的比电容。其原因在于微量元素提高了铝箔表面(100)织构的含量;同时,也增加了正方形蚀坑的晶粒数目,这些晶粒分布在三角形或其他形状蚀坑的晶粒之间,且各种蚀坑的形状、大小适宜,分布均匀。由此所组成的位错蚀坑密度愈大,低压用铝箔的比电容也愈高。 |
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