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内置触发方式下单级FLTD触发脉冲参数及影响因素
引用本文:石琦,邱爱慈,王志国,孙凤举,魏振宇.内置触发方式下单级FLTD触发脉冲参数及影响因素[J].西安交通大学学报,2020(6):51-57.
作者姓名:石琦  邱爱慈  王志国  孙凤举  魏振宇
作者单位:1. 西安交通大学电气工程学院;2. 西北核技术研究院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室
基金项目:国家自然科学基金资助项目(51790521);
摘    要:为了研究快放电直线型变压器驱动源(FLTD)内置触发方式下触发脉冲的波形参数及其影响因素,利用有限积分法(FIT)仿真软件,建立单级FLTD场路仿真模型,获得了到达各主支路开关的触发脉冲参数及其影响因素,并在1MA FLTD实验平台上进行了验证。仿真结果表明:内置触发方式下,触发支路电感由100nH增大至350nH时,触发脉冲前沿由49.3ns增大至60.1ns;在触发支路置地电阻小于200Ω时,触发脉冲幅值随电阻增大而增大,在电阻高于200Ω后,置地电阻不影响触发脉冲幅值;角向传输线特征阻抗在58.0~76.5Ω范围变化时对触发脉冲波形参数影响较小。

关 键 词:单级FLTD  内置触发方式  电磁模型  触发脉冲  影响因素
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