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| 基于高斯光束的绝缘体上硅平面光波导的耦合效率研究 | |
| 引用本文： | 薛红,王芳,白秀英,董康军.基于高斯光束的绝缘体上硅平面光波导的耦合效率研究[J].科学技术与工程,2014(3). |
| 作者姓名： | 薛红 王芳 白秀英 董康军 |
| 作者单位： | 渭南师范学院物理与电气工程学院; |
| 基金项目： | 陕西省自然科学基金(2013JM8013);陕西省教育厅专项科研基金(12JK0989);渭南师范学院科研计划(12YKF017)资助 |
| 摘 要： | 利用梯度折射率(GRIN)介质对高斯光束在出射端面聚焦的特性,研究了对称GRIN介质中单模SOI平面波导的耦合效率特性。对于同一入射波长而言,TM波的耦合效率较大;对于1 550 nm的通信波长而言,使TE和TM偏振光的耦合效率恰好相同的最佳耦合条件为α=0.25μm-1,Δx=0,θ=0°,且耦合效率均为84.1%。 |
| 关 键 词： | 光波导 耦合效率 梯度折射率介质 绝缘体上的硅 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |