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| Cu元素比例对Cu_2ZnSnS_4薄膜光电性能的影响 | |
| 作者单位： | ;1.安顺学院电子与信息工程学院 |
| 摘 要： | 采用溶胶-凝胶法,以金属醇盐和硫脲为原料,并将乙二醇甲醚为溶剂在玻璃衬底上制备不同Cu组分比例的Cu_2ZnSnS_4薄膜材料,通过金相显微镜进行观察。结果表明:Cu元素摩尔比为1.8、1、9时,薄膜表面颗粒分布较为均匀,最强吸光度为0.23A、透射比为80.86%。随着Cu比例的增大,载流子浓度逐渐升高,迁移率和霍尔电压降低,最大载流子浓度和迁移率分别为3.87×1017/cm~3和3.58×102cm~2/V.S,霍尔电压最大值为12mV,Cu元素比例增加后,CZTS薄膜结晶质量变差,电阻率减小。 |
| 关 键 词： | Cu2ZnSnS4薄膜 Cu组分 光电性能 |
Effect of Cu Ratio on Photoelectric Properties of Cu_2ZnSnS_4 Thin Films |
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