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| 双离子束溅射法生长MgO薄膜 | |
| 引用本文： | 李贻杰.双离子束溅射法生长MgO薄膜[J].科学通报,1993,38(4):308-308. |
| 作者姓名： | 李贻杰 |
| 作者单位： | 北京大学物理系 北京100871 |
| 摘 要： | 氧化物薄膜近几年来受到了人们普遍的重视。MgO、SiO_2和ZrO_2等材料不仅可以用作各种电子器件中的绝缘层,还起到了隔离层的作用,可有效地阻止多层膜之间因互扩散造成的界面反应。迄今为止,实验已经证实许多材料都可作为很好的隔离层或多层膜中的绝缘层,包括 SrTIO_3、Y-ZrO_2、PrBa_2Cu_3O_7、Y_2O_3、CeO_2和MgO等。这些材料在不同的器件制备中具有不同的作用,可供选择。MgO是一种离子性很强的氧化物材料。属NaCl结构,溶点高达2800℃,介电常数为10,自由能最低的低指数解理面为{100}面,晶格常数 |
| 关 键 词： | 薄膜 离子束溅射 外延生长 氧化镁 |
| 收稿时间： | 1992-07-16 |
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