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0.18μm工艺小规模嵌入式EEPROM存储阵列单Block电路
引用本文:吕英杰,张小兴,戴宇杰,程兆贤,陈力颖.0.18μm工艺小规模嵌入式EEPROM存储阵列单Block电路[J].南开大学学报,2011(6):11-13.
作者姓名:吕英杰  张小兴  戴宇杰  程兆贤  陈力颖
摘    要:介绍了一种EEPROM存储阵列单Block电路,可以降低RFID TAG存储阵列电路的漏电流.采用EEPROM嵌入式0.18 μm工艺,工作电压1.8V.改进后的电路每个存储单元可以降低最大8μA的漏电流.

关 键 词:RFID  EEPROM  阵列  漏电流
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