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杂志ISSN号
0.18μm工艺小规模嵌入式EEPROM存储阵列单Block电路
作者姓名:
吕英杰
张小兴
戴宇杰
程兆贤
陈力颖
摘 要:
介绍了一种EEPROM存储阵列单Block电路,可以降低RFID TAG存储阵列电路的漏电流.采用EEPROM嵌入式0.18 μm工艺,工作电压1.8V.改进后的电路每个存储单元可以降低最大8μA的漏电流.
关 键 词:
RFID EEPROM
阵列
漏电流
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