0.18μm工艺小规模嵌入式EEPROM存储阵列单Block电路 |
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引用本文: | 吕英杰,张小兴,戴宇杰,程兆贤,陈力颖.0.18μm工艺小规模嵌入式EEPROM存储阵列单Block电路[J].南开大学学报,2011(6):11-13. |
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作者姓名: | 吕英杰 张小兴 戴宇杰 程兆贤 陈力颖 |
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摘 要: | 介绍了一种EEPROM存储阵列单Block电路,可以降低RFID TAG存储阵列电路的漏电流.采用EEPROM嵌入式0.18 μm工艺,工作电压1.8V.改进后的电路每个存储单元可以降低最大8μA的漏电流.
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关 键 词: | RFID EEPROM 阵列 漏电流 |
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