首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

0.18μm工艺小规模嵌入式EEPROM存储阵列单Block电路
作者姓名:吕英杰  张小兴  戴宇杰  程兆贤  陈力颖
摘    要:介绍了一种EEPROM存储阵列单Block电路,可以降低RFID TAG存储阵列电路的漏电流.采用EEPROM嵌入式0.18 μm工艺,工作电压1.8V.改进后的电路每个存储单元可以降低最大8μA的漏电流.

关 键 词:RFID EEPROM  阵列  漏电流
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号