| 短周期GaSb/A1Sb应变超晶格的沟道效应 |
| |
| 引用本文： | 潘传康.短周期GaSb/A1Sb应变超晶格的沟道效应[J].科学通报,1994,39(22):2032-2032. |
| |
| 作者姓名： | 潘传康 |
| |
| 作者单位： | 南昌大学材料科学研究所 南昌330047
(潘传康)，南昌大学材料科学研究所 南昌330047(江风益) |
| |
| 基金项目： | 南昌大学基础理论研究基金，江西省自然科学基金资助课题 |
| |
| 摘 要： | 把RBS(Rutherford backscattering)及沟道(Channeling)技术应用于超晶格结构的研究起始于1980年Saris等人的工作.他们发现沿着晶轴方向应变超晶格的反常沟道现象,即110]沟道产额明显高于100]沟道产额.这个结果被解释为应变超晶格的110]晶轴的扭折(Zig-Zag)所致.潘传康、朱唯干等人为测量这种扭折角△θ(Kink angle),提出了离子束分层沟道扫描方法,成功地测量了GaSB/Alsb应变超晶格的△θ.这种方法现已被用来测量十余种其它类应变结构的△θ.其中Gossmann等人用此法而获得 AISb(196(?))/GaSb(100(?)异质结的分层角扫描谱.文献3,4]报道了周期为600(?)的GaSb/AlSb应变超晶格的十分明显的反常沟道效应.
|
| 关 键 词： | 超晶格 离子束沟道 GaSb/AlSb |
| 收稿时间： | 1993-11-24 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《科学通报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《科学通报》下载免费的PDF全文 |
|
