响应表面方法与模拟相结合用于埋沟道PMOS器件性能优化 |
| |
作者姓名: | 甘学温 Walt. AJ |
| |
作者单位: | [1]北京大学微电子学研究所 [2]爱丁堡大学电子工程系 |
| |
摘 要: | 响应表面方法与TCAD相结合是一个极具潜力的有用技术,它可以极大地减少研制和优化IC工艺的时间和成本。本文介绍了用响应表面的实验设计与模拟相结合获得模型方程并用于工艺优化的方法和优点。D-优化的设计方法和其他措施结合改善模型拟合精度,得到的响应表面用于对亚微米埋沟道PMOS器件性能进行预测和优化。用响应表面得到优化的工艺条件,在此条件下由响应表面预测的结果与模拟结果取得了很好的一致。
|
关 键 词: | 响应表面 模型拟合 集成电路 PMOS器件 埋沟道 |
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录! |