乙酰丙酮镁对有机场效应晶体管迁移率的影响

载流子迁移率是有机场效应晶体管(OFETs)的重要参数,直接决定了OFETs的功率和工作频率,对电子纸和射频标签等实际应用起到至关重要的作用。为了提高以聚(3-己基噻吩)(P3HT))和聚苯乙烯(PS)的混合物作为半导体材料的OFETs的载流子迁移率,提出利用结晶的乙酰丙酮镁来诱导P3HT在界面处结晶的方法。研究了使用不同量的乙酰丙酮镁掺杂的热交联聚乙烯基苯酚(CPVP)作为介电材料时OFETs性能的变化。结果表明,当在常用介电材料CPVP中掺杂适量乙酰丙酮镁(质量分数为0.6%)作为介电层时,器件的载流子迁移率达到最大(2.88×10-2 cm2/(V·s)),是单纯使用CPVP介电层时迁移率的11倍。