As~ 离子注入对非晶Se薄膜表面形貌及光学性质的影响

离子注入于单晶Si已成为制造超大规模集成电路很有成效的技术,离子注入非晶Si也已有所研究,但离子注入于另一类非晶—硫系却很少有报道。为了解这方面的情况,开辟新的应用条件。我们将A~ s离子注入非晶Se研究其光致放电特性及表面形貌与光学性质。光致放电特性已经报道,所以本文着重介绍用光学显微镜及椭偏仪分别研究A~ s离子注入非晶Se的表面形貌及光学性质。