| 氧空位对SrBi4Ti4O15铁电陶瓷电性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 王晓军,雒卫廷.氧空位对SrBi4Ti4O15铁电陶瓷电性能的影响[J].山西大同大学学报（自然科学版）,2012,28(6):20-22,25. |
| |
| 作者姓名： | 王晓军 雒卫廷 |
| |
| 作者单位： | 吕梁学院物理系,山西吕梁,033300 |
| |
| 基金项目： | 山西省高校科技研究开发项目，山西省大学创新实验项目 |
| |
| 摘 要： | 用高温固相烧结法制备了SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷,用双氧水浸泡72 h进行氧处理的样品与未经过氧处理的样品进行对比研究。样品的介电损耗谱表明:氧处理使SBTi在20℃～300℃温度范围内的介质损耗明显降低,这主要是由于氧处理使样品中氧空位浓度降低引起的。在温度高于300℃时,经过氧处理的样品的介质损耗迅速增大,这是因为氧处理使空穴载流子浓度增大。通过对材料的直流电导与温度关系的Arrhenius拟合,分析了SBTi的导电机理。结果表明,氧处理并未明显改变样品在300℃～650℃温度区域的载流子激活能,却使其在20℃～300℃范围内的激活能从0.52 eV变化到0.71 eV。
|
| 关 键 词： | 氧空位 SrBi4Ti4O15 激活能 |
Effect of Oxygen Vacancies on the Electrical Properties of SrBi4Ti4O15 Ceramics |
| |
| WANG Xiao-jun
,
LUO Wei-ting.Effect of Oxygen Vacancies on the Electrical Properties of SrBi4Ti4O15 Ceramics[J].Journal of Shanxi Datong University(Natural Science Edition),2012,28(6):20-22,25. |
| |
| Authors: | WANG Xiao-jun LUO Wei-ting |
| |
| Institution: | (Department of Physics,Luliang University,Luliang Shanxi,033300) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
