Hg_1_XCdxTe光电二极管RoA因素分析

本文对影响n~+—p型Hg_(l-y) Cdx Te光二极管R_oA值的因素(扩散电流和隧道电流)进行了分析,并扩充了Reine等人关于n~+区少子电流的理论;用K·P方法和单边突变结模型分析了Cd、Hg相对含量(X)的分级不均匀变化对直接隧道电流的影响;且用非均匀电场模型讨论了陷阱协助隧道电流及X分级不均匀变化对其影响。