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| 低压VDMOSFET特征导通电阻的研究 | |
| 引用本文： | 霍东权,格日乐图,杨建华.低压VDMOSFET特征导通电阻的研究[J].内蒙古民族大学学报(自然科学版),2004,19(4):462-464. |
| 作者姓名： | 霍东权 格日乐图 杨建华 |
| 作者单位： | 1. 内蒙古民族大学,物理与机电学院,内蒙古,通辽,028043 2. 阿拉善盟师范学院,物理教研室,内蒙古,巴彦浩特,750300 3. 内蒙古额尔古纳市职业高中,内蒙古,额尔古纳,022250 |
| 摘 要： | 比较系统地分析了正六角形单胞VDMOSFET的特征导通电阻模型． |
| 关 键 词： | VDMOSFET 特征导通电阻 Rch Ra Rj Re |
| 文章编号： | 1671-0185(2004)04-0462-03 |
| 修稿时间： | 2003年11月24 |
The Studies on Property Conduction Electrical Resistance of Low Pressure VDMOSFET |
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| HUO Dong-quan,Geriletu,YANG Jian-hua.The Studies on Property Conduction Electrical Resistance of Low Pressure VDMOSFET[J].Journal of Inner Mongolia University for the Nationalities(Natural Sciences),2004,19(4):462-464. | |
| Authors: | HUO Dong-quan Geriletu YANG Jian-hua |
| Institution: | HUO Dong-quan~1,Geriletu~2,YANG Jian-hua~3 |
| Abstract: | In this paper,analyses property conduction electrical resistance model of normal hexagon unit cell VDMOSFET. |
| Keywords: | VDMOSFET Property conduction electrical resistance Rch Ra R_j Re |
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