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| 一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管 | |
| 作者单位： | ;1.西安交通大学软件学院;2.西安交通大学电子与信息工程学院 |
| 摘 要： | 针对隧穿场效应晶体管开态电流较低的问题,提出了一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管结构,并对其性能进行了研究。在该结构中,沟道和漏区采用具有相同掺杂浓度的N型InGaAs材料,实现沟道/漏区无结化,简化了制造工艺;同时为了提高开态隧穿电流,源区采用不同于沟道的P型GaAsSb材料,实现异质源区/沟道结构。该结构能有效增大关态隧穿势垒宽度,降低泄漏电流,同时增加开态带带隧穿概率,提升开态电流,从而获得低亚阈值斜率和高开关比。仿真结果表明,在0.4V工作电压下,该新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管的开态电流为3.66mA,关态电流为4.35×10~(-13) A,开关电流比高达10~(10),平均亚阈值斜率为27mV/dec,漏致势垒降低效应值为126。 |
| 关 键 词： | 隧穿 场效应晶体管 平均亚阈值斜率 隧穿势垒 |
A Novel GaAs-Based Tunnel Field-Effect Transistor Without Drain Junction |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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