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| 液相自蚀生长CuTCNQ微晶中的纳米通道 | |
| 作者姓名： | 顾宁 |
| 作者单位： | 东南大学吴健雄实验室 南京210096(顾宁，鲁武)，东南大学吴健雄实验室 南京210096(韦钰) |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，军事电子预言基金资助项目 |
| 摘 要： | 自1979年Potember与其合作者首次报道了铜的四氰基苯醌对二甲烷(7,7’,8,8＇-tetracyanoquinodimethan,简称TCNQ)的电荷转移(CT)复合物有机薄膜具有电流控制的电学开关现象以来,陆续发现了过渡金属(Cu,Ag)TCNQ及其一系列衍生物有机薄膜的电学或光电阈值开关与存贮特性.这些具有极重要应用前景的特性缘于材料中发生的部分场致相变.由这些部分相变形成了所谓的高电导畴或低阻通道.已有结果表明,促使形成这些通道的条件与测量用金属电极/有机薄膜的界面以及薄膜的微观形貌有着十分密切的关系.界面条件 |
| 关 键 词： | CuTCNQ 薄膜 液相自蚀生长 微晶 纳米通道 |
| 收稿时间： | 1994-08-16 |
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