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封闭硅栅CMOS电路经济结构设计
引用本文:谢世健,丁璇英.封闭硅栅CMOS电路经济结构设计[J].东南大学学报(自然科学版),1984(4).
作者姓名:谢世健  丁璇英
作者单位:南京工学院无线电电子学研究所,南京工学院无线电电子学研究所
摘    要:本文分析、研究封闭硅栅CMOS电路的结构特点及其经济结构的设计,找出每级倒相器、与非门和或非门基本门电路比较经济、合理的几何结构,得到具有较经济的T_D/(W/(L_ef)值。该设计方法适用于中、小规模封闭结构的CMOS电路,并已应用于六倒相器、4×2与非门、4×2或非门等多种低压高速门电路的设计,取得较满意的结果。

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