| 无铅互连凸点电迁移失效的四探针测量 |
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| 引用本文： | 吴丰顺,张伟刚,张金松,吴懿平.无铅互连凸点电迁移失效的四探针测量[J].华中科技大学学报(自然科学版),2007,35(6):85-88. |
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| 作者姓名： | 吴丰顺 张伟刚 张金松 吴懿平 |
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| 作者单位： | 华中科技大学,塑性成形模拟及模具技术国家重点实验室;武汉光电国家实验室,湖北,武汉,430074;华中科技大学,塑性成形模拟及模具技术国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 湖北省自然科学基金
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 针对无铅互连电迁移失效这一高密度封装时面临的重要课题进行了研究.采用四探针法分别监测了电流密度为1.5×104 A/cm2和2.2×104 A/cm2时Sn3.5Ag0.5Cu互连凸点上电压的变化,发现电流密度为2.2×104 A/cm2时凸点的平均电阻变化率超过电迁移失效的临界值10 %,分析了其微观结构的扫描电镜照片,所提出的发生电迁移失效的电流密度值为凸点设计提供十分有用的数据.对无铅互连凸点的电迁移失效过程和四探针测量法的测量误差进行了分析,提出了采用四凸点结构提高测量精度的改进措施.
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| 关 键 词： | 四探针测量法 电迁移 凸点下金属化层 倒装芯片 |
| 文章编号： | 1671-4512（2007）06-0085-04 |
| 修稿时间： | 2006-03-06 |
Four-point probe measurement of electromigration failure |
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| Wu Fengshun,Zhang Weigang,Zhang Jinsong,Wu Yiping.Four-point probe measurement of electromigration failure[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,2007,35(6):85-88. |
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| Authors: | Wu Fengshun Zhang Weigang Zhang Jinsong Wu Yiping |
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| Institution: | 1 State Key Laboratory of Plastic Forming Simulation and Die and Mould Technology; 2 Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, Huazhong University of Science amd Technology, Wuhan 430074, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | the four-point probe measurement electromigration under bump metallization flip chip |
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