| 像素碲锌镉探测器低噪声读出芯片设计与测试 |
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| 引用本文： | 罗杰,邓智,刘以农,王光祺,李红日.像素碲锌镉探测器低噪声读出芯片设计与测试[J].清华大学学报(自然科学版),2012(7):917-921. |
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| 作者姓名： | 罗杰 邓智 刘以农 王光祺 李红日 |
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| 作者单位： | 清华大学工程物理系,粒子技术与辐射成像教育部重点实验室;北京滨松光子技术有限公司 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10735060) |
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| 摘 要： | 为了解决像素碲锌镉探测器的高密度和低噪声读出问题,设计了一款8通道的低噪声前端读出芯片。每个通道由两级电荷灵敏前放、4阶半Gauss成形电路和输出驱动放大器组成。芯片采用了0.35μm CMOS工艺完成了流片测试,单通道的电荷增益为65～260mV/fC,成形时间调节范围为1～4μs,测得的最好等效噪声电荷为200e。连接碲锌镉探测器后测得241 Am和57 Co全能峰的能量分辨率分别为9.6%和5.9%。初步测试结果表明:芯片的各项功能都正常,噪声的实测结果与仿真结果比较吻合,但探测器的漏电流以及输入端寄生电容使得其电子学噪声显著增加。
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| 关 键 词： | 碲锌镉 室温半导体探测器 低噪声 专用集成电路(ASIC) |
Design and test results of a low-noise readout ASIC for pixelated CdZnTe detectors |
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| LUO Jie,DENG Zhi,LIU Yinong,WANG Guangqi,LI Hongri.Design and test results of a low-noise readout ASIC for pixelated CdZnTe detectors[J].Journal of Tsinghua University(Science and Technology),2012(7):917-921. |
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| Authors: | LUO Jie DENG Zhi LIU Yinong WANG Guangqi LI Hongri |
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| Institution: | 1.Key Laboratory of Particle and Radiation Imaging of Ministry of Education,Department of Engineering Physics, Tsinghua University,Beijing 100084,China; 2.Beijing Hamamatsu Photon Techniques Co.Ltd., Beijing 100070,China) |
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| Abstract: | |
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